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Si2303BDS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
1
0.1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
I D = 1.7 A
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
0.9
0.6
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
10
8
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.3
0.0
I D = 250 μA
6
4
- 0.3
- 0.6
2
0
T A = 25 °C
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
10
1
Limited
by R DS(on)*
10 μs
100 μs
1 ms
Time (s)
Single Pulse Power
10 ms
0.1
100 ms
0.01
T A = 25 °C
Single Pulse
DC, 100 s, 10 s, 1 s
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Square Wave Pulse Duration (s)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Case
www.vishay.com
4
Document Number: 72065
S-80642-Rev. C, 24-Mar-08
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